粉体材料中 圆柱形孔的体积为：V = πD2L/4 孔的内表面积为：S = πDL 二式相除得到：D = 4V/S

平均孔径： 对于圆柱孔，若已知总孔体V，总孔内表面积S，则平均孔径D由下式求得，D=4V/S ,对于缝隙形孔，计算公式为2V/S。

微分分布：  用孔体积随孔径的变化率对孔径作图，即dV/dr-D或dV/logd-D曲线图，这个曲线上的点并不直接对应于孔体积的大小，在微分分布曲线上，经常具有一个突出的峰值，由此得到一个非常重要的指标：最可几孔径，即微分分布曲线上最高峰对应的孔径，他表征着被测材料最集中的孔的尺寸；

在多孔粉体中，存在着大小不同的孔，把各种尺寸的孔的容积测出来，得到孔容积随孔径的变化或分部，总称孔径分布，孔径分布的表征可有许多的指标，包括总孔体积，平均孔径，最可几孔径，孔体积随孔径的积分（累积）分布，孔体积随孔径的微分分布等，孔径分布的测定方法及分析模型很多，不同的模型对孔径分布的描述可能有所不同。

在微孔材料BET比表面的测试中，在正常的0.05~0.35范围中做直线，C值为负，这是因为吸附物质(气体)分子的大小和形状在非常狭窄的微孔中与BET假设严重偏离, BET表面积明显小于样品总的几何表面积，这时在0.05~0.35范围中已不存在直线关系，必须对线性范围给与修正，随着降低线性范围，直线的线性度不断提高，当达到0.9999以上时，C值一定不再是负值，BET比表面数值也会趋向于Langmuir比表面；如果是介孔材料BET比表面测试中，C值为负是不应当的，说明测试的准确性有问题，对于一些比表面特别小的材料，吸附能力很差，BET比表面测定的相对误差比较大，这时也容易出现C值为负的现象，BET的相关假设也并不完全适合他们，这时可以不必深追，C值只是参考而已。

在BET方程与Langmuir方程中，均有一个常数“C”，它与吸附材料的吸附能量有关：即 C ∝（E吸附-E蒸发）/RT， 由公式看到，正吸附时，C 必须为正值， C 值小时对应于弱吸附和低比表面的固体， 不同的材料 C 值的范围大致如下：

  粉体材料表面吸附气体分子只有一层，而且布满所有表面，这时的吸附量称为单层饱和吸附量。他是用气体吸附法计算比表面时必须达到的数据。

对于微纳米材料而言，其颗粒尺寸本来就很小，加上形状千差万别，比表面及孔尺寸不可能直接测量，必须借助于更小尺度的“量具”，氮吸附法就是借助于氮分子作为一个量具或标尺，来度量粉体的表面积以及表面的孔容积，这是一个很巧妙、很科学的方法。任何粉体表面都有吸附气体分子的能力，在液氮温度下，在含氮的气氛中，粉体表面会对氮气产生物理吸附，在回到室温时，吸附的氮气又会全部脱附出来。当粉体表面吸附满一层氮分子时，粉体的比表面积（Sg）可由下式求出：

直接对比法比表面仪是动态流动色谱法比表面仪中最简单的一种，这种仪器结构简单，测试快速，适合于某些材料生产的在线监测；它选择已知比表面积（Sg 0）的标准样品，与被测样品并联到相同的气路中，只要先后测出标样和被测样的脱附峰面积（Ao、Ax）,被测样品的比表面可由下式求得：

BET比表面积是包含外表面和所有通孔的内表面积在内的总表面积；外表面是扣除小于2nm微孔的内表面积以后的表面积，显然，BET比表面与外表面之差即为小于2nm的微孔的内表面积，这已演变成为计算微孔内表面积的一种方法。

在进行BET比表面测试时发现，由于一般材料的C值比较大，因此BET直线的截距都很小，也就是说直线很接近于通过原点，由此产生一种近似测试方法，即在P/Po=0.2处，测试其吸附量，在BET图上找到他的位置，然后与坐标原点相连，这条直线斜率的倒数即为单层饱和吸附量，由此算出比表面。这种方法只需要进行一点测试，故称为单点BET法，他大大节省了测试的时间，但显然，单点BET法得到的比表面数值只是一个近似值，一般偏差在5%左右。